بازده تراشه‌های ۳ نانومتری نسل دوم سامسونگ باید ۷۰ درصد می‌بود اما فقط ۲۰ درصد است!

مدتی هست که خروجی ریخته‌گری سامسونگ خیلی درخشان یا قابل دفاع نیست. به نظر می‌رسد که شرایط خیلی روی به سمت مثبتی هم پیش نمی‌رود. به تازگی شنیده می‌شود که بازده تراشه‌های ۳ نانومتری نسل دوم سامسونگ باید ۷۰ درصد می‌بود اما فقط ۲۰ درصد است!

بازده تراشه‌های ۳ نانومتری نسل دوم سامسونگ

ممکن است سامسونگ با دستیابی به فرآیند Gate-All-Around یا GAA در رقابت تولید تراشه ۳ نانومتری پیشتاز باشد، اما بازده تولید از این فرآیند هنوز به سطوح رضایت بخشی نرسیده است، البته اگر گزارش جدید منتشر شده از کره‌جنوبی صحت داشته باشد.

گزارشی از Naver نشان می‌دهد که سامسونگ در ابتدا هدف بلندپروازانه بازدهی 70 درصدی را برای هر دو نسل اول و دوم فرآیندهای 3 نانومتری GAA خود تعیین کرد. با این حال، این هدف دور از دسترس به نظر می رسد.

طبق گزارش ها نسل اول تراشه ۳ نانومتری سامسونگ با کد “SF3E-3GAE” با بازدهی در حدود 50-60٪ نسبتاً بهتر عمل می کند. در حالی که این نسبت به نسل دوم به هدف نزدیکتر است، اما هنوز از سطح مورد نیاز برای جذابیت تجاری تولید این محصولات فاصله دارد.

به نظر می‌رسد این مشکل دلیل اصلی عدم رغبت مشتریان به فرآیند 3 نانومتری GAA سامسونگ باشد. مثلا کوالکام تصمیم گرفت برای تولید اسنپدراگون 8 الیت به طور انحصاری بر روی معماری 3 نانومتری «N3E» تراشه ساز قراردادی تایوانی TSMC تمرکز کند.

چشم انداز فرآیند 3 نانومتری نسل دوم سامسونگ (با کد SF3-3GAP)، حتی بدتر است. این گزارش نشان می دهد که نرخ بازدهی آن تنها 20 درصد بوده و این کمتر از یک سوم هدف اولیه است.

این عدم پیشرفت می تواند اعتماد به فناوری 3 نانومتری سامسونگ را بیشتر تضعیف کند و به طور بالقوه حتی مشتریان کره‌ای را به سمت فناوری 3 نانومتری تثبیت شده TSMC سوق دهد.

احتمال عبور زودهنگام سامسونگ از فناوری ۳ نانومتری به سمت ۲ نانومتری

فناوری 3 نانومتری GAA سامسونگ ممکن است به مشکل تبدیل شود. این موضوع می‌تواند توضیح دهد که چرا به نظر می رسد این شرکت منابع و استعدادها را به سمت فناوری 2 نانومتری آینده خود تغییر می دهد.

شایعات حاکی از آن است که تراشه اگزینوس ناشناخته‌ای با اسم رمز “Ulysses” با استفاده از فناوری “SF2P” در حال توسعه است. انتظار می رود این تراشه در مدل آینده Galaxy S یعنی مثلا Galaxy S27 در سال 2027 استفاده شود.

باید دید که آیا سامسونگ می‌تواند بر این موانع غلبه کند و فناوری 3 نانومتری خود را به عنوان یک جایگزین مناسب معرفی نماید یا خیر. در غیر این صورت، آینده تراشه پرچمدار بعدی این شرکت یعنی Exynos 2500 نیز ممکن است در هاله ای از ابهام قرار گیرد.

شما فکر می‌کنید ریخته‌گری سامسونگ می‌تواند از شرایط بحرانی خارج شود؟

نوشته بازده تراشه‌های ۳ نانومتری نسل دوم سامسونگ باید ۷۰ درصد می‌بود اما فقط ۲۰ درصد است! اولین بار در ترنجی پدیدار شد.

منبع: ترنجی